K9XXG08UXM vs K9MDG08U5M Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9XXG08UXM tarafından Samsung Electronics ve K9MDG08U5M tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K9XXG08UXM | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Obsolete | Aktif |
| Bellek Boyutu | 2G x 8 Bit (2Gb) | — |
| Memory Cell Array Organization | (1G + 32M) bit x 8 bit | — |
| Data Register | (2K + 64) bit x 8 bit | — |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Page Size | (2K + 64) Byte | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | (256K + 8K) Byte | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program Operation | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte | — |
| Erase Operation | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte | — |
| I/O Interface | 8-bit multiplexed address/data/command | — |
| Control Signals | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B | — |
| Cell Type | SLC (single-level cell) NAND | MLC (2 bits per cell) |
| Paket | 48-pin TSOP | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: Access Time] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Bellek Türü | — | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Organizasyon | — | 16G x 8 bit |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| Arayüz | — | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |