M29F200FT55M3F2 vs M29F160FT55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FT55M3F2 द्वारा Micron Technology और M29F160FT55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FT55M3F2 M29F160FT55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Flash
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
संगठन 256K x 8 / 128K x 16 1M x 16 / 2M x 8
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
पैकेज 44-pin SO (TSOP) 48-Pin TSOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
इंटरफ़ेस — Parallel
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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