M29F200FT55M3F2 vs M29F160FT55N3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F200FT55M3F2 מאת Micron Technology ו M29F160FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F200FT55M3F2 M29F160FT55N3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
ארגון 256K x 8 / 128K x 16 1M x 16 / 2M x 8
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
מארז 44-pin SO (TSOP) 48-Pin TSOP
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
ממשק — Parallel
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר