M29F200FT55M3F2 vs M29F160FT55N3F2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F200FT55M3F2 بذریعہ Micron Technology اور M29F160FT55N3F2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F200FT55M3F2 M29F160FT55N3F2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Flash
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
تنظیم 256K x 8 / 128K x 16 1M x 16 / 2M x 8
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
پیکیج 44-pin SO (TSOP) 48-Pin TSOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
انٹرفیس — Parallel
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں