M29F800FT55N3F2 vs M29W400FT55N3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29W400FT55N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F800FT55N3F2 M29W400FT55N3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Parallel NOR Flash
मेमोरी आकार 8 Mbit 4 Mbit
संगठन 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 4Mbit, block-organized, top boot block
सप्लाई वोल्टेज 5 V (single supply) [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Access Time 55 ns 55 ns
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
पैकेज 48-pin TSOP 48-TSOP I
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR suffix)
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Bus Configuration — x8 / x16 (BYTE-selectable)
Program/Erase — Block erase, word/byte program
Suspend/Resume — Erase/program suspend and resume
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Prefix F in MPN — Pb-free package suffix

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध