M29W128GH70N3E vs M29W128GL70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W128GH70N3E द्वारा Micron Technology और M29W128GL70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W128GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| मेमोरी आकार | 128 Mbit (16 MB) | — |
| संगठन | 8M x 16 / 16M x 8 | 16M x8 / 8M x16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| पैकेज | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |