M29W128GH70N3E vs M29W128GL70N3E So sánh
So sánh chi tiết song song của M29W128GH70N3E bằng Micron Technology và M29W128GL70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70N3E ✓ Hoạt độngMicron Technology
M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron
M29W128GL70N3E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29W128GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Flash |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Kích thước bộ nhớ | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Tổ chức | 8M x 16 / 16M x 8 | 16M x8 / 8M x16 |
| Giao diện | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Điện áp cung cấp | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Hộp | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Bề rộng đường dữ liệu | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |