M29W128GH70N3E vs M29W128GL70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W128GH70N3E tarafından Micron Technology ve M29W128GL70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W128GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Flash |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Bellek Boyutu | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Organizasyon | 8M x 16 / 16M x 8 | 16M x8 / 8M x16 |
| Arayüz | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Paket | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |