M29W160EB80ZA3SE vs M29W160ET70N3F तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160EB80ZA3SE द्वारा Micron Technology और M29W160ET70N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron
M29W160EB80ZA3SE ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W160EB80ZA3SE | M29W160ET70N3F |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash (Parallel) | Parallel NOR Flash |
| मेमोरी आकार | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) |
| Access Time | 80 ns | 70 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel (Byte-wide / Word-wide) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V | 3 V / 3.3 V |
| संगठन | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | — |
| पैकेज | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) | 48-pin TSOP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape and Reel |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) | AEC-Q100 qualified |
| Programming Supply | Single 3V supply for program, erase and read | — |
| Technology Family | M29W160EB (3rd generation M29W series) | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Erase Block Architecture | Boot block (parameter and main blocks) | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS स्थिति | Pb-free (SE suffix) | RoHS-compliant package (F option) |
| Technology | — | CMOS |
| Boot Block Architecture | — | Top boot |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Programming Interface | — | Parallel command set |
| Number of Terminals | — | 48 |