M29W160EB80ZA3SE vs M29W160ET70N3F So sánh
So sánh chi tiết song song của M29W160EB80ZA3SE bằng Micron Technology và M29W160ET70N3F bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron
M29W160EB80ZA3SE ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29W160EB80ZA3SE | M29W160ET70N3F |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash (Parallel) | Parallel NOR Flash |
| Kích thước bộ nhớ | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) |
| Access Time | 80 ns | 70 ns |
| Giao diện | Parallel (Byte-wide / Word-wide) | — |
| Điện áp cung cấp | 2.7 V to 3.6 V | 3 V / 3.3 V |
| Tổ chức | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C | — |
| Hộp | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) | 48-pin TSOP |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape and Reel |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) | AEC-Q100 qualified |
| Programming Supply | Single 3V supply for program, erase and read | — |
| Technology Family | M29W160EB (3rd generation M29W series) | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Erase Block Architecture | Boot block (parameter and main blocks) | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Trạng thái RoHS | Pb-free (SE suffix) | RoHS-compliant package (F option) |
| Technology | — | CMOS |
| Boot Block Architecture | — | Top boot |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Programming Interface | — | Parallel command set |
| Number of Terminals | — | 48 |