MHT1008NT1515 vs MHT1008NT1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MHT1008NT1515 द्वारा NXP Semiconductors और MHT1008NT1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MHT1008NT1515 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz ISM N-Channel | NXP
MHT1008NT1515 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MHT1008NT1515 | MHT1008NT1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors |
| Part Number | MHT1008NT1515 | MHT1008NT1 |
| Device Type | RF Power LDMOS Transistor, N-Channel Enhancement-Mode | — |
| Operating Frequency | 2450 MHz (ISM band) | 2400 MHz to 2500 MHz (2450 MHz typ) |
| Output Power (CW) | 12.5 W | 12.5 W |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 65 V (minimum) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.6 V | — |
| Typical Gain | 20.9 dB at 2.45 GHz | — |
| Drain Bias (typical) | 28 V | — |
| Total Power Dissipation | 48.1 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -40 °C to +150 °C | — |
| पैकेज | PLD-1.5W (PLD-1) ceramic flange | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount / Flange Mount with heat spreader | Chassis / flange mount with bolt-down heatsink |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: rohs_status] |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode |
| Application | — | RF Power Transistor, ISM Band |
| Test Frequency | — | 2450 MHz |
| Drain Supply Voltage (Vdd) | — | 28 V (typical) |
| Power Gain (typical) | — | 18.6 dB at 2450 MHz |
| Drain Current | — | 110 mA |
| Power Gain (DigiKey reported) | — | 20.9 dB (max value reported by distributor) |
| पैकेज / केस | — | PLD-1.5W (SOT1811), ceramic flanged |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead_free] |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | [DATA_NEEDED: msl_level] |