MHT1008NT1515 vs MHT1008NT1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MHT1008NT1515 بذریعہ NXP Semiconductors اور MHT1008NT1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MHT1008NT1515 | MHT1008NT1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors |
| Part Number | MHT1008NT1515 | MHT1008NT1 |
| Device Type | RF Power LDMOS Transistor, N-Channel Enhancement-Mode | — |
| Operating Frequency | 2450 MHz (ISM band) | 2400 MHz to 2500 MHz (2450 MHz typ) |
| Output Power (CW) | 12.5 W | 12.5 W |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 65 V (minimum) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.6 V | — |
| Typical Gain | 20.9 dB at 2.45 GHz | — |
| Drain Bias (typical) | 28 V | — |
| Total Power Dissipation | 48.1 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PLD-1.5W (PLD-1) ceramic flange | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount / Flange Mount with heat spreader | Chassis / flange mount with bolt-down heatsink |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: rohs_status] |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode |
| Application | — | RF Power Transistor, ISM Band |
| Test Frequency | — | 2450 MHz |
| Drain Supply Voltage (Vdd) | — | 28 V (typical) |
| Power Gain (typical) | — | 18.6 dB at 2450 MHz |
| Drain Current | — | 110 mA |
| Power Gain (DigiKey reported) | — | 20.9 dB (max value reported by distributor) |
| پیکیج / کیس | — | PLD-1.5W (SOT1811), ceramic flanged |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead_free] |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | [DATA_NEEDED: msl_level] |