MPX5010GS vs MPX5010DP तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPX5010GS द्वारा NXP Semiconductors और MPX5010DP द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPX5010GS | MPX5010DP |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overpressure | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] | — |
| ऑपरेटिंग सप्लाई वोल्टेज | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| सप्लाई करंट | 5 mA typical | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| आउटपुट वोल्टेज रेंज | 0.2 V to 4.7 V at 5 V supply | 0.2 V to 4.7 V |
| Accuracy | +/-2.5% of full-scale span | — |
| Response Time | 1.0 ms typical | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (compensated) | 0 C to +85 C (compensated) |
| Storage Temperature | -40 C to +125 C | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| आउटपुट प्रकार | Analog, ratiometric | Analog, ratiometric |
| Port Type | Male 0.19" (4.93 mm) tube, axial | — |
| पैकेज | 6-SIP Module, Case 867E-03 | 6-SIP Module |
| Sensing Technology | Piezoresistive (silicon strain gauge) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through-hole, axial tube | Through-hole (SIP) |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Overload Pressure | — | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| Technology | — | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |