MPX5010GS vs MPX5010DP Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MPX5010GS tarafından NXP Semiconductors ve MPX5010DP tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MPX5010GS | MPX5010DP |
|---|---|---|
| Marka | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Kategori | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overpressure | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] | — |
| İşletim Besleme Gerilimi | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| Besleme Akımı | 5 mA typical | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Çıkış Gerilimi Aralığı | 0.2 V to 4.7 V at 5 V supply | 0.2 V to 4.7 V |
| Accuracy | +/-2.5% of full-scale span | — |
| Response Time | 1.0 ms typical | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0 C to +85 C (compensated) | 0 C to +85 C (compensated) |
| Storage Temperature | -40 C to +125 C | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Çıkış Türü | Analog, ratiometric | Analog, ratiometric |
| Port Type | Male 0.19" (4.93 mm) tube, axial | — |
| Paket | 6-SIP Module, Case 867E-03 | 6-SIP Module |
| Sensing Technology | Piezoresistive (silicon strain gauge) | — |
| Montaj Türü | Through-hole, axial tube | Through-hole (SIP) |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Overload Pressure | — | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| Besleme Gerilimi | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| Technology | — | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |