MPXH6115AC6U vs MPXHZ6115A6T1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPXH6115AC6U द्वारा NXP Semiconductors और MPXHZ6115A6T1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MPXH6115AC6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor, 5V, 8-SOIC
MPXH6115AC6U ✓ सक्रियNXP Semiconductors
MPXHZ6115A6T1 - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP | 8-SOIC
MPXHZ6115A6T1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPXH6115AC6U | MPXHZ6115A6T1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Pressure Type | Absolute | Absolute |
| Operating Pressure Range | 2.18 PSI to 16.68 PSI (15 kPa to 115 kPa) | 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) |
| आउटपुट वोल्टेज रेंज | 0.2 V to 4.7 V (at 5 V supply) | 0.2 V to 4.7 V (at 5 V supply) |
| सप्लाई वोल्टेज | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | 5 V (typical, [DATA_NEEDED: full min/max range]) |
| Sensitivity | 45.9 mV/kPa (typical) | — |
| पैकेज | 8-SOIC (0.335 inch, 8.50 mm width) Top Port | 8-SOIC (0.295", 7.50 mm Width), Surface Mount |
| Port Type | Male - 0.13 inch (3.3 mm) Tube, Top | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| Compensated Temperature Range | 0 C to +85 C | — |
| Signal Conditioning | On-chip bipolar op-amp + thin-film resistor network | — |
| आउटपुट प्रकार | Analog, ratiometric to VCC | Analog Voltage |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (PPS thermoplastic) |
| Technology | Piezoresistive MEMS, monolithic silicon | — |
| Port Orientation | Top-side vertical | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Maximum Overpressure | — | 400 kPa (58.02 PSI) |
| Accuracy | — | ±1.5% (0 °C to 85 °C) |
| Temperature Compensation Range | — | -40 °C to +125 °C |
| Port Style | — | No Port (media-resistant PPS surface mount) |
| Sensor Technology | — | MEMS silicon strain-gauge with bipolar op-amp signal conditioning |
| Media Compatibility | — | Media-resistant PPS package; dry gas media recommended |