MRF7S16150HSR3 vs MRF7S21150HSR3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF7S16150HSR3 द्वारा NXP Semiconductors और MRF7S21150HSR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF7S16150HSR3 MRF7S16150HSR3 - 32W RF Power LDMOS, 1.6GHz WIMAX | NXP

MRF7S16150HSR3 - 32W RF Power LDMOS, 1.6GHz WIMAX | NXP

MRF7S16150HSR3 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF7S21150HSR3 MRF7S21150HSR3 - 28V 44W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF7S21150HSR3 - 28V 44W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF7S21150HSR3 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF7S16150HSR3 MRF7S21150HSR3
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
ट्रांज़िस्टर प्रकार LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Technology RF Power Field-Effect Transistor (HV7 process) —
Drain-Source Voltage (VDS) Rated 65 V minimum —
Drain-Source Voltage (Test Condition) 28 V typical operating —
Continuous Drain Current 1.5 A —
Operating Frequency Range 1.6 GHz to 1.66 GHz —
Test Frequency 1.6 GHz —
Power Gain 19.7 dB 17.5 dB (typical at 2.14 GHz)
Output Power (Pout) 32 W —
Configuration Single (SINGLE) Single, push-pull final stage
पैकेज / केस NI-780S (ceramic, metal-sealed cofired, surface mount) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount / bolt-down flange Flange / bolt-down with ceramic body
Case Connection SOURCE (flange tied to source) —
Channel Temperature (Tch max) [DATA_NEEDED: maximum channel temperature] —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS compliance] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead / Terminal Finish [DATA_NEEDED: lead finish / plating] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Frequency Band — 2110 MHz to 2170 MHz
Test Voltage — 28 V
Rated Drain Voltage (Vds max) — 65 V
Average Output Power — 44 W (W-CDMA)
Peak Output Power — 150 W
Test Current — 1.35 A
पैकेज — NI-780S (NI-780 HS variant)
Lead Configuration — High-source-leads (HS) variant
Operating Mode — Class AB / Doherty
Application — W-CDMA, LTE base station final-stage PA
JEDEC Qualification — JESD22 thermal/mechanical

डेटाशीट और संसाधन

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