MRFE6P9220HR3 vs MRFE6S9200HR3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRFE6P9220HR3 द्वारा NXP Semiconductors और MRFE6S9200HR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MRFE6P9220HR3 | MRFE6S9200HR3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral | N-Channel LDMOS (RF Power) |
| Technology | RF Power MOSFET | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) |
| Frequency Range | 865 MHz to 1000 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | 66 V | — |
| Test Supply Voltage | 28 V | 28 V |
| Test Drain Current | 1.6 A | — |
| Output Power (Avg, N-CDMA) | 47 W | — |
| Peak Output Power | 200 W | — |
| Power Gain (Typ) | 20 dB at 880 MHz | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] | — |
| पैकेज | NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount | NI-880H-2L ceramic air-cavity |
| Configuration | Common source, 2 elements | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount with copper heatsink pad | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Lead Free Status | Lead Free | Lead Free (per datasheet) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Frequency | — | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 66 V |
| Test Quiescent Current | — | 1.4 A |
| Output Power (Avg) | — | 58 W (W-CDMA) |
| Power Gain | — | 21 dB at 880 MHz |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 557.27 pF at 28 V |
| Operating Mode | — | Class AB, Class C, Doherty |
| Target Application | — | W-CDMA base-station final stage |