MRFE6P9220HR3 vs MRFE6S9200HR3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRFE6P9220HR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRFE6S9200HR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRFE6P9220HR3 | MRFE6S9200HR3 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral | N-Channel LDMOS (RF Power) |
| Technology | RF Power MOSFET | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) |
| Frequency Range | 865 MHz to 1000 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | 66 V | — |
| Test Supply Voltage | 28 V | 28 V |
| Test Drain Current | 1.6 A | — |
| Output Power (Avg, N-CDMA) | 47 W | — |
| Peak Output Power | 200 W | — |
| Power Gain (Typ) | 20 dB at 880 MHz | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] | — |
| پیکیج | NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount | NI-880H-2L ceramic air-cavity |
| Configuration | Common source, 2 elements | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount with copper heatsink pad | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Lead Free Status | Lead Free | Lead Free (per datasheet) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Frequency | — | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 66 V |
| Test Quiescent Current | — | 1.4 A |
| Output Power (Avg) | — | 58 W (W-CDMA) |
| Power Gain | — | 21 dB at 880 MHz |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 557.27 pF at 28 V |
| Operating Mode | — | Class AB, Class C, Doherty |
| Target Application | — | W-CDMA base-station final stage |