MRFE6S9160HR3 vs MRF6S19200HR5 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRFE6S9160HR3 द्वारा NXP Semiconductors और MRF6S19200HR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF6S19200HR5 MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRFE6S9160HR3 MRF6S19200HR5
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer NXP Semiconductors —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS
Technology HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) RF Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V DSS) 70 V (max) —
Drain Current (continuous) [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] —
Operating Frequency Range 865 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 880 MHz —
Drain Supply Voltage (V DD) 28 V (typical) —
Output Power (Average) 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) —
Output Power (PEP) [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] —
Power Gain (G ps / G p) 21 dB (typical at 880 MHz) —
Drain Efficiency 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) —
पैकेज / केस NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) —
माउंटिंग प्रकार Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) Flange / Screw Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +150C (junction) —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Thermal Resistance (R thJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] —
Input Match Internally matched input (broadband) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर Not applicable (non-SMD air-cavity package) —
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 66 V
Test Voltage (Vds) — 28 V
Test Current (Ids) — 1.6 A
Frequency Range — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Power Gain (Typ) — 17.9 dB
Output Power (Pout) — 56 W (CW)
पैकेज — NI-780H-2L (ceramic flange)
Operating Mode — Class AB, Class C
Application — CDMA base station, multicarrier amplifiers
Input Matching — Internal (broadband)
Lead Free Status — Yes

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध