MRFE6S9160HR3 vs MRF6S19200HR5 So sánh

So sánh chi tiết song song của MRFE6S9160HR3 bằng NXP Semiconductors và MRF6S19200HR5 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ Hoạt động
NXP Semiconductors
MRF6S19200HR5 MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MRFE6S9160HR3 MRF6S19200HR5
Thương hiệu NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer NXP Semiconductors —
Kiểu transitor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS
Technology HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) RF Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V DSS) 70 V (max) —
Drain Current (continuous) [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] —
Operating Frequency Range 865 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 880 MHz —
Drain Supply Voltage (V DD) 28 V (typical) —
Output Power (Average) 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) —
Output Power (PEP) [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] —
Power Gain (G ps / G p) 21 dB (typical at 880 MHz) —
Drain Efficiency 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) —
Hộp / Vỏ NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) —
Kiểu lắp đặt Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) Flange / Screw Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +150C (junction) —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Thermal Resistance (R thJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] —
Input Match Internally matched input (broadband) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Cấp MSL Not applicable (non-SMD air-cavity package) —
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 66 V
Test Voltage (Vds) — 28 V
Test Current (Ids) — 1.6 A
Frequency Range — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Power Gain (Typ) — 17.9 dB
Output Power (Pout) — 56 W (CW)
Hộp — NI-780H-2L (ceramic flange)
Operating Mode — Class AB, Class C
Application — CDMA base station, multicarrier amplifiers
Input Matching — Internal (broadband)
Lead Free Status — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá