MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCJR-XN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G16TD-062E द्वारा Micron Technology और H5ANAG6NCJR-XN द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron
MT40A1G16TD-062E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A1G16TD-062E | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gbit | — |
| संगठन | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| इंटरफ़ेस | POD12 (1.2V pseudo open-drain) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Bank Architecture | 8 banks (x16 configuration) | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Refresh | 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | TC maximum up to 95 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 (96-ball) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | -062E | — |
| Product Line Suffix | AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) | — |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |