MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCJR-XN השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A1G16TD-062E מאת Micron Technology ו H5ANAG6NCJR-XN מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A1G16TD-062E | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 16 Gbit | — |
| ארגון | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| ממשק | POD12 (1.2V pseudo open-drain) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Bank Architecture | 8 banks (x16 configuration) | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Refresh | 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C | — |
| טמפרטורת פעולה | TC maximum up to 95 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 (96-ball) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | -062E | — |
| Product Line Suffix | AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) | — |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| קצב נתונים | — | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |