MT40A1G8SA-062E vs YZ48G08V-F9HPI-M तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8SA-062E द्वारा Micron Technology और YZ48G08V-F9HPI-M द्वारा Loongtion. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ सक्रिय
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A1G8SA-062E YZ48G08V-F9HPI-M
ब्रांड Micron Technology Loongtion
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
संगठन 1G x 8 1G x 8
डेटा दर 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
पैकेज 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
विशेषताएँ Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40°C to +85°C
Package Type — FBGA78
इंटरफ़ेस — Parallel
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
RoHS स्थिति — Compliant
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

डेटाशीट और संसाधन

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