MT40A1G8SA-062E vs YZ48G08V-F9HPI-M Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A1G8SA-062E tarafından Micron Technology ve YZ48G08V-F9HPI-M tarafından LoongtionAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Aktif
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT40A1G8SA-062E YZ48G08V-F9HPI-M
Marka Micron Technology Loongtion
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Veri Hızı 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
İşletim Sıcaklığı 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Paket 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
Besleme Gerilimi — 1.2 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40°C to +85°C
Package Type — FBGA78
Arayüz — Parallel
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
RoHS Durumu — Compliant
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin