MT40A1G8SA-062E vs YZ48G08V-F9HPI-M So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A1G8SA-062E bằng Micron Technology và YZ48G08V-F9HPI-M bằng Loongtion. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Hoạt động
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A1G8SA-062E YZ48G08V-F9HPI-M
Thương hiệu Micron Technology Loongtion
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 1G x 8
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Hộp 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Tính năng Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40°C to +85°C
Package Type — FBGA78
Giao diện — Parallel
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
Trạng thái RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá