MT40A256M16GE-075E:B vs K4AAG165WM-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A256M16GE-075E:B द्वारा Micron Technology और K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A256M16GE-075E:B | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $3.95 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| डेटा दर | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| पैकेज | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |