MT40A256M16GE-075E:B vs K4AAG165WM-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A256M16GE-075E:B מאת Micron Technology ו K4AAG165WM-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A256M16GE-075E:B | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $3.95 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| קצב נתונים | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| מארז | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| ממשק | — | Parallel (DDR4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |