MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4-75BIN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16JY-07EAIT:B द्वारा Micron Technology और AS4C512M16D4-75BIN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16JY-07EAIT:B | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gbit |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.333 GHz |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | POD |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +95°C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |