MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M8RH-075E:B द्वारा Micron Technology और K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| डेटा दर | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| रेफ़रेंस वोल्टेज | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| पैकेज | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | — |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |