MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M8RH-075E:B توسط Micron Technology و K4A4G085WD-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| نوع رابط | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| ولتاژ مرجع | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | — |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| رابط | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |