MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-107AAT:E द्वारा Micron Technology और NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16HA-107AAT:E | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा दर | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V (DDR3L) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (9x14mm) | TFBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS लेटेंसी | 13 (typical) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |