MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16HA-107AAT:E disebabkan oleh Micron Technology dan NT5CB256M16CP-DI disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16HA-107AAT:E | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Kadar Data | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.35 V (DDR3L) |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Kemasan | 96-FBGA (9x14mm) | TFBGA-96 |
| Suhu Operasi | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensi CAS | 13 (typical) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| Gambaran Suhu Operasi | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |