MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-PBI तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-125 द्वारा Micron Technology और H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-PBI
ब्रांड Micron Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
यूनिट मूल्य (USD) $6.36 —
मेमोरी प्रकार SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4Gbit (256M x 16) —
डेटा बस चौड़ाई 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V 1.35 V
पैकेज 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
पिन की संख्या 96 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS लेटेंसी 11 Programmable
संगठन — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
डेटा दर — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96

डेटाशीट और संसाधन

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