MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-PBI مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology و H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-PBI
العلامة التجارية Micron Technology SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
سعر الوحدة (USD) $6.36 —
نوع الذاكرة SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
حجم الذاكرة 4Gbit (256M x 16) —
عرض ناقل البيانات 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
جهد التغذية 1.35 V 1.35 V
العلبة 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
عدد الدبابيس 96 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
زمن الوصول CAS 11 Programmable
التنظيم — 256M x 16
Total Memory Size — 4 Gb
معدل البيانات — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر