MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-125IT:E द्वारा Micron Technology और NT5CC256M16CP-DIB1 द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16HA-125IT:E | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $4.50 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 800 MHz | — |
| CAS लेटेंसी | 13.75 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V |
| पैकेज | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | 0C to +95C (Tcase) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Lead Free | Yes | Yes |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| डेटा दर | DDR3L-1600 | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |