MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16HA-125IT:E disebabkan oleh Micron Technology dan NT5CC256M16CP-DIB1 disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ Aktif
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16HA-125IT:E | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Status Stok | In Stock | — |
| Harga Unit (USD) | $4.50 | — |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 800 MHz | — |
| Latensi CAS | 13.75 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | 1.35V |
| Kemasan | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Bilangan Pin | 96 | — |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Suhu Operasi | -40°C to +95°C | 0C to +95C (Tcase) |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Lead Free | Yes | Yes |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Kadar Data | DDR3L-1600 | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| Boson Bebas | — | Yes |