NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E:J तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16B4-HR द्वारा Nanya Technology और MT40A512M16TB-062E:J द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E:J |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | — |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| मेमोरी आकार | — | 8Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks each) |
| Prefetch Architecture | — | 8n-bit |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to 95°C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |