NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology और MT41K256M16HA-107AAT:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CB256M16CP-DI | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | 4 Gb | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (DDR3L) | 1.35V |
| डेटा दर | 1600 Mbps/pin (max) | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Additive Latency | 0-13 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (Tc) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| CAS लेटेंसी | — | 13 (typical) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |