NT5CB256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DIH द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CB256M16CP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| डेटा दर | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL_15 | — |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C (industrial) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| पिन की संख्या | — | 96 |