NT5CB256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CB256M16CP-DIH بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CB256M16CP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| انٹرفیس | SSTL_15 | — |
| پیکیج | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C (industrial) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |