NT5CB256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CB256M16CP-DIH توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CB256M16CP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| نرخ داده | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| رابط | SSTL_15 | — |
| بسته‌بندی | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| دمای کاری | -40°C to +95°C (industrial) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |