NT5CB256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CB256M16CP-DIH bằng Nanya Technology và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DIH NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CB256M16CP-DIH K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu Nanya Technology Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (±0.075V) —
Tốc độ dữ liệu 1600Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps/pin
Internal Banks 8 (BA0-BA2) —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9 —
WRITE Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Giao diện SSTL_15 —
Hộp 96-ball TFBGA FBGA-96
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (industrial) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
REACH Compliant —
Lead-Free Yes —
Process Technology 70nm —
Điện áp cung cấp — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá