NT5CB256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CB256M16CP-DIH tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | NT5CB256M16CP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| Veri Hızı | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Arayüz | SSTL_15 | — |
| Paket | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C (industrial) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Pin Sayısı | — | 96 |