NT5CC256M16DN-FLNA vs NT5CC256M16DP-FLNA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16DN-FLNA द्वारा Nanya Technology और NT5CC256M16DP-FLNA द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ सक्रिय
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विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA
ब्रांड Nanya Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
डेटा दर 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
CAS लेटेंसी 11 11, 12, 13
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
पैकेज 96-ball FBGA BGA-96 (13x9 mm)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
इंटरफ़ेस 16-bit I/O SSTL-15
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto self-refresh, auto precharge
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant Compliant
Total Density — 4 Gb
सप्लाई वोल्टेज — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks — 8
ऑपरेटिंग तापमान — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Lead-Free — Yes
विशेषताएँ — Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset

डेटाशीट और संसाधन

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