NT5CC256M16DN-FLNA vs NT5CC256M16DP-FLNA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16DN-FLNA بواسطة Nanya Technology و NT5CC256M16DP-FLNA بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ نشط
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA
العلامة التجارية Nanya Technology Nanya Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
معدل البيانات 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
زمن الوصول CAS 11 11, 12, 13
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
العلبة 96-ball FBGA BGA-96 (13x9 mm)
نطاق درجة حرارة التشغيل Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
الواجهة 16-bit I/O SSTL-15
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto self-refresh, auto precharge
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant Compliant
Total Density — 4 Gb
جهد التغذية — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks — 8
درجة حرارة التشغيل — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Lead-Free — Yes
الميزات — Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر