NT5CC256M16DN-FLNA vs NT5CC256M16DP-FLNA 比較

詳細並排比較 NT5CC256M16DN-FLNA 由 Nanya Technology 與 NT5CC256M16DP-FLNA 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ 啟用中
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規格比較

參數 NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
組織 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
資料速率 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
CAS 延遲 11 11, 12, 13
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
封裝 96-ball FBGA BGA-96 (13x9 mm)
工作溫度範圍 Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
介面 16-bit I/O SSTL-15
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto self-refresh, auto precharge
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant Compliant
Total Density — 4 Gb
供應電壓 — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Number of Banks — 8
工作溫度 — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Lead-Free — Yes
功能特色 — Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset

資料表與資源

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