PJA3415 vs PJA3415AE तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना PJA3415 द्वारा Panjit और PJA3415AE द्वारा Panjit. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर PJA3415 PJA3415AE
ब्रांड Panjit Panjit
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 4 A (TA = 25C) —
Power Dissipation (PD) 1.25 W (TA = 25C) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
पैकेज SOT-23 SOT-23 (3-pin, surface mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 3 —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet])
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
Manufacturer Panjit International Inc. —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (per Panjit product page)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet])
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — -20 V
Continuous Drain Current (Id) — -4.3 A (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1.25 W (Ta)
Operating Mode — Enhancement Mode
ESD Protection — Yes (gate-integrated, -AE variant)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max]
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board]

डेटाशीट और संसाधन

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