STL140N4F7AG vs IRFH7084TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना STL140N4F7AG द्वारा STMicroelectronics और IRFH7084TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

STMicroelectronics
STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ सक्रिय
Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर STL140N4F7AG IRFH7084TRPBF
ब्रांड STMicroelectronics Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 140 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 3.2 mOhm @ VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (min) —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4500 pF —
Output Capacitance (Coss) 800 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 150 pF —
Power Dissipation (PD) 150 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C -55°C to +175°C (TJ)
पैकेज PowerFLAT 5x6 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS Compliant Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
MSL स्तर — 1
RoHS स्थिति — Compliant
हैलोजन फ्री — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

डेटाशीट और संसाधन

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