H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-UHC Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil H5AN8G6NCJR-VKC dari SK hynix dan H5AN8G6NCJR-UHC dari SK hynix. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-UHC
Merek SK hynix SK hynix
Kategori DRAM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Ukuran Memori 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Laju Data 2666 Mbps (MT/s) —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Antarmuka Parallel —
Suhu Kerja 0C to +95C 0C to +95C
Paket FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount (BGA)
Standby Current 28 mA —
Operating Current 45 mA —
Fitur Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet description) Yes (per family datasheet)
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]
Status Lingkungan Hidup Active —
Density — 8 Gb
Organisasi — 512M x 16
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Tegangan Pemuat — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon