H5TC4G63CFR-H9I vs K4B4G1646E-BYMA Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil H5TC4G63CFR-H9I dari SK hynix dan K4B4G1646E-BYMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum H5TC4G63CFR-H9I K4B4G1646E-BYMA
Merek SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14,32
Tipe Memori DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Tegangan Pemuat 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
I/O Voltage 1.35 V —
Laju Data 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Paket 96-ball TFBGA FBGA-96
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 —
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes —
Bebas Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latensi CAS Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Clock Frequency — 933 MHz
Suhu Kerja — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Tipe Mounting — Surface Mount
RoHS — Compliant
Jumlah Pin — 96

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon